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硅橡膠材料電壓擊穿試驗(yàn)儀 試驗(yàn)電壓100KV
hcdjc系列電壓擊穿試驗(yàn)儀采用計(jì)算機(jī)控制,通過(guò)人機(jī)對(duì)話方式,完成對(duì)絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿,可對(duì)試驗(yàn)過(guò)程中的各種數(shù)據(jù)進(jìn)行快速準(zhǔn)確的采集處理,支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)、顯示、打印一體化功能。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)儀器 空間電荷測(cè)量系統(tǒng) 聚合物絕緣材料空間電荷分布積累
電聲脈沖法是一種無(wú)損的空間電荷測(cè)量技術(shù)。它用于描述聚合物絕緣材料內(nèi)部的空間電荷分布、積累及其整體行為。空間電荷測(cè)量系統(tǒng)正在成為評(píng)估直流絕緣應(yīng)用(尤其是高壓電纜)中的聚合物材料測(cè)試時(shí)不錯(cuò)的技術(shù)。實(shí)際上,經(jīng)過(guò)充分的評(píng)估,空間電荷的存在是導(dǎo)致高壓直流聚合物電纜過(guò)早失效的主要原因,而且也是防止此類(lèi)電纜快速劣化的主要原因。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè) HCQD-4 絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái) 實(shí)驗(yàn)室用 可定制
面對(duì)材料因結(jié)露、吸濕、電場(chǎng)環(huán)境等因素造成的絕緣不佳現(xiàn)象暨離子遷移現(xiàn)象,設(shè)備可有效簡(jiǎn)便評(píng)估因老化腐蝕現(xiàn)象引起的壽命及絕緣電阻劣化相關(guān)問(wèn)題。試驗(yàn)系統(tǒng)能夠模擬各式工業(yè)制品、零部件以及原材料在實(shí)際生產(chǎn)、使用、儲(chǔ)存和運(yùn)輸過(guò)程中的高壓伴隨著低溫、高溫、潮濕、干燥、高低溫濕熱交變、溫度變化速度快、溫度循環(huán)等環(huán)境因素中受的影響,以測(cè)試其功能、性能及壽命的完整性和牢靠性。
更新時(shí)間:2025-04-09
 華測(cè) 高分子壓電材料高溫壓電系數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 測(cè)試頻率30-140Hz
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率,配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源,相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高,測(cè)量量程更寬,可靠性更高,操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖,可廣泛用于壓電材料(壓電陶瓷、高分子)、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè) HCYD 高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀 測(cè)量鐵電材料D33測(cè)試
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率,配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源,相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高,測(cè)量量程更寬,可靠性更高,操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖,可廣泛用于壓電材料(壓電陶瓷、高分子)、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-04-09
高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀 華測(cè) HCYD 壓電材料高溫壓電常數(shù)測(cè)試
hcyd高溫壓電系數(shù)測(cè)試儀采用fpga數(shù)字技術(shù)為激振器提供穩(wěn)定的測(cè)試頻率,配合聲學(xué)與振動(dòng)公司b&k生產(chǎn)的激振器作為振源,相對(duì)傳統(tǒng)的d33測(cè)量?jī)x測(cè)量精度更高,測(cè)量量程更寬,可靠性更高,操作更簡(jiǎn)單。儀器可以直接分析得出樣品壓電常數(shù)d33隨溫度變化的壓電溫譜圖,可廣泛用于壓電材料(壓電陶瓷、高分子)、鐵電材料以及相關(guān)器件性能。
更新時(shí)間:2025-04-09
 華測(cè)熱釋電系數(shù)測(cè)試儀 測(cè)量高分子材料熱釋電圖譜
1.鐵電的評(píng)價(jià)與測(cè)試2.壓電材料的評(píng)價(jià)與測(cè)試3.壓電陶瓷的評(píng)價(jià)與測(cè)試4.高分子的評(píng)價(jià)與測(cè)試5.相關(guān)器件性能的評(píng)價(jià)與測(cè)試
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè) Huace 熱釋電系數(shù)測(cè)試儀 測(cè)量壓電陶瓷材料的熱釋電系數(shù)
1.鐵電的評(píng)價(jià)與測(cè)試2.壓電材料的評(píng)價(jià)與測(cè)試3.壓電陶瓷的評(píng)價(jià)與測(cè)試4.高分子的評(píng)價(jià)與測(cè)試5.相關(guān)器件性能的評(píng)價(jià)與測(cè)試
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè) Huace-650T 功能材料電學(xué)測(cè)試高低溫冷熱臺(tái) 溫度范圍-185~600℃
huace650t高低溫冷熱臺(tái)(可定制)由華測(cè)儀器多位工程師多年開(kāi)發(fā),冷熱臺(tái)可配合阻抗分析儀、高阻計(jì)、電化學(xué)工作站、數(shù)字原表設(shè)備進(jìn)行功能材料電學(xué)的相關(guān)測(cè)試,采用直接聯(lián)接測(cè)試儀表以減少測(cè)試導(dǎo)線的影響,同時(shí)電極加熱采用直流電極加熱方式,減少電網(wǎng)諧波對(duì)測(cè)量?jī)x表的干擾。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)儀器 HC-RD-1100 塞貝克系數(shù)電阻率測(cè)試儀 測(cè)試鋰離子電池電極材料
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小,單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)儀器 HC-RD-1100 塞貝克系數(shù)電阻率測(cè)試儀 熱電材料研究用
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小,單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)儀器 HC-RD-1100 塞貝克系數(shù)電阻率測(cè)試儀 靜態(tài)直流法電阻率四端法
華測(cè)儀器的hc-rd-1100可以同時(shí)測(cè)定樣品在rt至1500°c溫度范圍內(nèi)的塞貝克系數(shù)和電阻率。熱功率、熱電勢(shì)、或塞貝克系數(shù)描述的都是材料在一定溫差條件下產(chǎn)生感應(yīng)熱電電壓的大小,單位是v/k。
更新時(shí)間:2025-04-09
半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)/絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái)
絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái)運(yùn)用三電極法設(shè)計(jì)原理測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合gb/t 31838.2-2019、gb/t31838.7-2021標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā),并參考美國(guó)astm標(biāo)準(zhǔn)(d257、d1829)。利用獨(dú)特的電阻測(cè)試系統(tǒng),重復(fù)性與穩(wěn)定性更好,提升了夾具的抗干擾能力,同時(shí)大大提高精確度,可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。
更新時(shí)間:2025-04-09
長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)
一、產(chǎn)品概述面對(duì)材料越來(lái)越小型輕量及高密度封裝,因結(jié)露、吸濕、電場(chǎng)環(huán)境等因素造成的絕緣不良現(xiàn)象暨離子遷移現(xiàn)象日益突出,長(zhǎng)期電化學(xué)腐蝕平臺(tái),可高精度連續(xù)試驗(yàn),gao效簡(jiǎn)便評(píng)估因老化腐蝕現(xiàn)象引起的
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè) 鐵電分析儀 Huace FE3000 鐵電性能測(cè)試 材料電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)
huace fe-3000鐵電分析儀有著寬頻率響應(yīng)范圍及寬測(cè)試電壓范圍,該系統(tǒng)可廣泛地應(yīng)用于如各類(lèi)鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、塊體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。采用模塊化設(shè)計(jì)的huace fe-3000具有強(qiáng)大擴(kuò)展性。在鐵電測(cè)試領(lǐng)域其高測(cè)試精度能力,在±200v的內(nèi)置電壓下,電滯回線測(cè)試頻率可高達(dá)270khz。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)超高速鐵電材料高壓放大器/壓電驅(qū)動(dòng)器
華測(cè)超高速鐵電材料高壓放大器系列,是以我公司關(guān)于高電壓的多年經(jīng)驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)而完成的,架式高速高電壓的運(yùn)算放大器電源。zui高100khz的高速響應(yīng),可以在與輸入波形成比例的正弦波、三角波、鋸波和矩形波中進(jìn)行高電壓輸出。從輸出電壓600v到20kv共19機(jī)種。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)電荷量表 匹配不同規(guī)格法拉第筒
電荷量表結(jié)合了華測(cè)高靈敏度電壓、電流測(cè)量?jī)x器的技術(shù)優(yōu)勢(shì)以及更快的速度和更高的耐用性。匹配不同規(guī)格法拉第筒。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè) 絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái)
華測(cè)絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái),針對(duì)絕緣材料電阻評(píng)價(jià)平臺(tái)做了安全設(shè)計(jì),測(cè)試過(guò)程中在過(guò)電壓、過(guò)電流、超溫等異常情況下以保證測(cè)試過(guò)程的安全;資料保存機(jī)制,當(dāng)遇到電腦異常或瞬時(shí)斷電時(shí),可將資料保存于控制器中,不丟失試驗(yàn)數(shù)據(jù),設(shè)備重新開(kāi)啟后可恢復(fù)原有試驗(yàn)數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)高壓驅(qū)動(dòng)電源匹配高壓放大器空間電荷測(cè)量系統(tǒng)
華測(cè)ha系列高壓電源是高性能機(jī)箱式高壓電源,hchv系列具有完善的保護(hù)系統(tǒng)。可遙控或本地控制,面板有電壓、電流顯示,高壓輸入端過(guò)壓、過(guò)流、短路保護(hù)、拉弧、過(guò)溫保護(hù)和安全鎖等功能。寬范圍調(diào)整和靈活的多項(xiàng)可選功能。hchv系列是種高性能、可 靠性、高品質(zhì)的直流高壓電源。更適合材料電學(xué)高壓試驗(yàn)與材料檢測(cè)。
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)儀器鐵電分析儀鐵電測(cè)試儀置〈2024升級(jí)推薦〉
huace fe系列鐵電測(cè)試系統(tǒng),有著寬頻率響應(yīng)范圍及寬測(cè)試電壓范圍,在±500v內(nèi)置電壓下,電滯回線測(cè)試頻率可高達(dá)500khz;此系統(tǒng)包含huacepro基本鐵電管理測(cè)試軟件。此外還可外部擴(kuò)展電壓到4kv、10kv、20kv,huace fe主機(jī)在不改變樣品連接的情況下可執(zhí)行電滯回線,脈沖,漏電流,iv、cv、擊穿測(cè)試,也可加載選件實(shí)現(xiàn)壓電、熱釋電、tsdc和電卡、阻抗分析、電阻測(cè)量等特性測(cè)試
更新時(shí)間:2025-04-09
華測(cè)電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)
huace-dcs10kv電介質(zhì)充放電測(cè)試系統(tǒng)主要用于研究介電儲(chǔ)能材料高電壓放電性能。目常規(guī)的方法是通過(guò)電滯回線計(jì)算高壓下電介質(zhì)的能量密度,測(cè)試時(shí),樣品的電荷是放回到高壓源上,而不是釋放到負(fù)載上,通過(guò)電滯回線測(cè)得的儲(chǔ)能密度一般會(huì)大于樣品實(shí)際釋放的
更新時(shí)間:2025-04-09
高低溫真空探針臺(tái)
kt-z160t-rl該探針臺(tái)的承載臺(tái)為60x60不銹鋼臺(tái)面,臺(tái)面最高可升溫到最高400℃。低溫-190°c。真空腔體設(shè)計(jì)有進(jìn)氣口和抽真空接口。探針臂為x/y/z三軸移動(dòng),三個(gè)方向均可在真空環(huán)境下精密移位調(diào)節(jié),用戶可根據(jù)需要自行調(diào)節(jié)。使用時(shí)將需檢測(cè)的器件固定在加熱臺(tái)上,再微調(diào)探針支架x/y/z 方向行程,通過(guò)顯微鏡觀察,使探針對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)點(diǎn)后,即可進(jìn)行檢測(cè)。
更新時(shí)間:2025-04-09
Rigaku X射線熒光分析儀
日本rigaku x射線熒光分析儀 waferx 310, 通過(guò)x射線以大角度照射在鍍膜的硅片樣品上,產(chǎn)生鍍膜 樣品的相應(yīng)特征x射線的方法,進(jìn)而分析測(cè)量硅片樣品的 鍍膜厚度。
更新時(shí)間:2025-04-09
硅片金屬雜質(zhì)分析系統(tǒng) Expert
硅片金屬雜質(zhì)分析系統(tǒng) expert,全自動(dòng)汽車(chē)掃描系統(tǒng)與真空二次離子質(zhì)譜法(vpd-icp-ms)結(jié)合,為硅片金屬雜質(zhì)分析提供了高效的解決方案。系統(tǒng)具備多個(gè)型號(hào),包括適用于實(shí)驗(yàn)室和工廠自動(dòng)化的expert_lab、expert_ps和expert_fab。這些系統(tǒng)支持多種掃描模式,如全掃描、徑向掃描和傾斜掃描,可實(shí)現(xiàn)從大容量蝕刻到深度輪廓測(cè)量的全 面分析。
更新時(shí)間:2025-04-09
激光剝蝕多通道原子吸收光譜系統(tǒng)LAGM
lagm激光剝蝕多通道原子吸收光譜系統(tǒng)采用飛秒激光和電流計(jì)鏡,可精確燒蝕 300 毫米晶圓樣品,無(wú)需小型封閉腔室。系統(tǒng)配備雙注射器模型 msag_ds,支持標(biāo)準(zhǔn)加入法進(jìn)行定量分析,具備點(diǎn)和面傾斜度、輪廓及雜質(zhì)分析功能。系統(tǒng)能全自動(dòng)操作,支持多種分析模式如全掃描、斑點(diǎn)、直線、塊模式及深度剖面模式,適用于晶圓和非晶圓樣品的全 面分析。
更新時(shí)間:2025-04-09
金屬標(biāo)準(zhǔn)氣霧劑生成系統(tǒng) MSAG
msag金屬標(biāo)準(zhǔn)氣霧劑生成系統(tǒng),是一種用于納米顆粒分析及直接氣體分析的重要工具,尤其適用于電感耦合等離子體質(zhì)譜法(icp-ms)。該設(shè)備能夠以0至3μl/min的速度將混合金屬標(biāo)準(zhǔn)溶液引入霧化器,確保了高靈敏度和準(zhǔn)確性。通過(guò)msgg裝置監(jiān)測(cè)icp-ms靈敏度變化,并利用鉬氣態(tài)標(biāo)準(zhǔn)作為內(nèi)標(biāo)。
更新時(shí)間:2025-04-09
 連續(xù)化學(xué)品檢測(cè)系統(tǒng) CSI
csi 連續(xù)化學(xué)品檢測(cè)系統(tǒng):化學(xué)敏感儀器監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體晶圓廠使用的化學(xué)物質(zhì),通過(guò)連續(xù)化學(xué)采樣檢測(cè)(csi)系統(tǒng)監(jiān)測(cè)微量金屬雜質(zhì),以避免器件故障。系統(tǒng)采用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(icp-ms)對(duì)化學(xué)品進(jìn)行24/7的連續(xù)監(jiān)測(cè),包括液相(lt)和氣溶膠相(at)兩種樣品運(yùn)輸方式。l
更新時(shí)間:2025-04-09
連續(xù)化學(xué)采樣檢測(cè)系統(tǒng)CSI
化學(xué)分析實(shí)驗(yàn)室采用連續(xù)化學(xué)采樣檢測(cè)系統(tǒng)(csi)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體工藝中的化學(xué)品,以檢測(cè)微量金屬雜質(zhì)。該系統(tǒng)使用電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(icp-ms)進(jìn)行24/7的連續(xù)監(jiān)測(cè),確保化學(xué)品在運(yùn)輸和更換過(guò)濾器過(guò)程中不受污染。在線接口軟件(ois)控制閥門(mén)、自動(dòng)進(jìn)樣器和icp-ms,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)校準(zhǔn)和質(zhì)量控制。該系統(tǒng)能夠生成濃度和計(jì)數(shù)趨勢(shì)圖,并具備自動(dòng)重新分析功能。
更新時(shí)間:2025-04-09
氣體電離探測(cè)器GED
氣體電離探測(cè)器(ged)是一種用于測(cè)量氣體中金屬顆粒濃度的技術(shù),尤其適用于半導(dǎo)體行業(yè)中特殊氣體的分析。該系統(tǒng)通過(guò)一個(gè)高效的膜來(lái)交換氣體,使得樣品氣體中的金屬顆粒能在無(wú)需預(yù)處理的情況下直接引入到電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(icp-ms)中進(jìn)行高靈敏度分析。
更新時(shí)間:2025-04-09
自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)添加系統(tǒng) ASAS II
asas ii自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)添加系統(tǒng)通過(guò)自動(dòng)制備校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液,提升了電感耦合等離子體(icp)分析的效率與精度。該系統(tǒng)采用非接觸式光流傳感器和高精度注射泵,實(shí)現(xiàn)微量標(biāo)準(zhǔn)溶液的精 準(zhǔn)添加。其無(wú)閥門(mén)設(shè)計(jì)及全氟聚合物材質(zhì)確保了系統(tǒng)的高效與耐用性。
更新時(shí)間:2025-04-09
自動(dòng)進(jìn)樣稀釋模塊ASDM
自動(dòng)進(jìn)樣稀釋模塊asdm專(zhuān)為icp自動(dòng)進(jìn)樣器設(shè)計(jì),支持2至1000倍的樣品溶液稀釋?zhuān)鋫鋬煞N型號(hào)以適應(yīng)不同溶液類(lèi)型。該模塊可自動(dòng)添加標(biāo)準(zhǔn)溶液,并能同時(shí)清洗稀釋探頭及準(zhǔn)備下一個(gè)稀釋樣品。asdm提供10ml注射器進(jìn)行2-20倍稀釋?zhuān)騼芍ё⑸淦鬟M(jìn)行50-1000倍稀釋。
更新時(shí)間:2025-04-09
德國(guó)Eberl  多波束電子束 OCTOPLUS 1000
德國(guó)eberl 多波束電子束 octoplus 1000, 用于大 12 英寸基底 sige 外延生長(zhǎng)的 mbe 系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-04-09
OCTOPLUS 1000 多波束電子束
德國(guó) eberl 的多波束電子束octoplus 1000系統(tǒng),專(zhuān)為最大12英寸sige外延生長(zhǎng)設(shè)計(jì),適用于mbe(分子束外延)工藝。該系統(tǒng)提供高效、高精度的沉積技術(shù),確保高質(zhì)量薄膜的生長(zhǎng),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
更新時(shí)間:2025-04-09
德國(guó)Sentech 光譜反射膜厚儀 RM 2000
. 在垂直入射角的無(wú)接觸、光學(xué)反射測(cè)量,表征薄膜和大塊材料.光譜范圍從200到1000 nm. 功能強(qiáng)大的、獨(dú)特的分析軟件包ftpadv expert. 高穩(wěn)定的氘燈和鹵素鎢燈光源. 高精度的樣品準(zhǔn)直,帶光學(xué)自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡act和顯微鏡
更新時(shí)間:2025-04-09
Appsilon MPCVD
appsilon荷蘭 mpcvd
更新時(shí)間:2025-04-09
UV-300HC 雙盒式裝載紫外臭氧清洗機(jī)
盒式裝載紫外線臭氧清洗設(shè)備 uv-300hc雙盒式生產(chǎn)系統(tǒng),是一款高性能的盒式裝載uv臭氧清洗機(jī),用于生產(chǎn)。這個(gè)系統(tǒng)有2個(gè)裝載盒,可以達(dá)到200-300nm/min的高灰化率。該系統(tǒng)利用紫外線照射、高濃度臭氧和可控階段加熱的獨(dú)特組合,溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體(gan、sic、gaas和inp)、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2025-04-09
UV-300H 紫外臭氧清洗機(jī)
紫外線臭氧清洗機(jī) uv-300h,200 - 300 nm/min的高灰化率,是一款高性能的緊湊型紫外線臭氧清洗機(jī)。通過(guò)滑動(dòng)抽屜將基材裝入系統(tǒng)中。紫外線照射、高濃度臭氧和階段性加熱的獨(dú)特組合,可溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體(gan、sic、gaas、inp)、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
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UV-1 紫外線臭氧清洗機(jī)
日本samco紫外臭氧清洗機(jī) uv-1, 是一款緊湊型臺(tái)式紫外線臭氧清洗機(jī)。該系統(tǒng)將紫外線照射、臭氧和平臺(tái)加熱獨(dú)特地結(jié)合在一起,溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體(gan、gaas、inp、sic)、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2025-04-09
MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備
mosfet參數(shù)測(cè)試設(shè)備:靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括igss / bvr / vds(sat) / idss / vgsth / vf / rds(on));動(dòng)態(tài)參數(shù)(開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)
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雪崩能量測(cè)試臺(tái)
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介雪崩能量測(cè)試臺(tái),是門(mén)設(shè)計(jì)測(cè)試igbt、二管、mos管測(cè)試設(shè)備,對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用,就要考慮器件的雪崩能量,電壓的尖峰所集中的
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IGBT7KV/20000A動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
一. 功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流,電流的平均值由元件的額定電流值決定,而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓,測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性,它模擬了
更新時(shí)間:2025-04-09
IGBT9KA/8KV靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。 該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成:1)門(mén)觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門(mén)電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具
更新時(shí)間:2025-04-09
10萬(wàn)安浪涌電流測(cè)試儀
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介浪涌電流測(cè)試儀,是二管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點(diǎn):1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制,測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成: a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
更新時(shí)間:2025-04-09
晶閘管阻斷特性測(cè)試儀
阻斷特性測(cè)試儀的測(cè)試原理:符合國(guó)際及行業(yè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),可對(duì)大功率半導(dǎo)體器件(含晶閘管)進(jìn)行阻斷特性的測(cè)試。測(cè)試電壓和漏電流值采用實(shí)時(shí)數(shù)字顯示,便于數(shù)據(jù)的觀察和記錄。采用手動(dòng)調(diào)壓器加壓模式,可實(shí)
更新時(shí)間:2025-04-09
自動(dòng)熱穩(wěn)態(tài)壓力夾具
本公司生產(chǎn)的實(shí)用新型公開(kāi)了一種自動(dòng)壓力機(jī)夾具,包括水平設(shè)置在壓力機(jī)上的多對(duì)夾臂,在所述每對(duì)夾臂相對(duì)的夾持面上均設(shè)置有橡膠墊.本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于將夾臂的夾持面上設(shè)置有橡膠墊,這樣當(dāng)夾具夾持耐火磚時(shí)由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對(duì)耐火磚起到一定的保護(hù)作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,大大減少了耐火磚的破損率.
更新時(shí)間:2025-04-09
模塊高溫阻斷試驗(yàn)設(shè)備
產(chǎn)品介紹交流阻斷(或反偏)耐久性試驗(yàn)是在一定溫度下,對(duì)半導(dǎo)體器件施加阻斷(或反偏)電壓,按照規(guī)定的時(shí)間,從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。 一般情況下
更新時(shí)間:2025-04-09
晶閘管 整流二管靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)平臺(tái)
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成:1)門(mén)觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門(mén)電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具
更新時(shí)間:2025-04-09
二管正向浪涌電流測(cè)試儀
一、產(chǎn)品介紹浪涌電流測(cè)試儀,是二管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備,該設(shè)備具有如下特點(diǎn):1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制,測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果,并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成: a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
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UFS4.0/UFS3.1/Unipro總線協(xié)議分析儀(Analyzer)& 訓(xùn)練器(Exerciser)
introspect i3c exerciser and analyzer測(cè)試解決方案:推出在同一個(gè)硬件上能同時(shí)支持i3c exerciser and analyzer功能的廠商,支持i3c cts測(cè)試,向下兼容i2c,支持模擬多個(gè)i3c master和i3c slave裝置測(cè)試;支持故障注入如crc, ack/nack錯(cuò)誤
更新時(shí)間:2025-04-08
I3C Exerciser and analyzer測(cè)試解決方案
introspect i3c exerciser and analyzer測(cè)試解決方案:i3c exerciser and analyzer測(cè)試解決方案,推出在同一個(gè)硬件上能同時(shí)支持i3c exerciser and analyzer功能的廠商,支持i3c cts測(cè)試,向下兼容i2c,支持模擬多個(gè)i3c master和i3c slave裝置測(cè)試;支持故障注入如crc, ack/nack錯(cuò)誤
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