光學平臺產品及廠家
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉移。evg720自動納米壓印系統允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時間:2025-04-03
液體光學顆粒度儀 ks-42c，寬廣的測試范圍，可測試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數據。
更新時間:2025-04-03
美國 lakeshore 振動樣品磁強計 8600系列：model 8604, model 8607, 更科學，更高效
更新時間:2025-04-03
德國yxlon 定制化的標準x射線檢測系統cheetah evo，為封裝檢測、半導體及實驗室應用量身定制、
更新時間:2025-04-03
德國yxlon 定制化的緊湊型標準x射線檢測系統cougar evo ，為封裝檢測、半導體及實驗室應用量身定制
更新時間:2025-04-03
韓ecopia 變溫光霍爾效應測試儀 hms-7000，可以通過改變照射在樣品上的不同波長范圍的光源（紅、綠、藍光源）， 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數等半導體電學重要參數隨光源強度變化的曲線。
更新時間:2025-04-03
日本rion光遮蔽粒子計數器 kl-05,（光滲透法），可測試粒徑范圍：1~20個通道范圍，1.3μm~100（0.1μm的間隔）大粒子數濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-04-03
日本rion液體光學顆粒度儀：ks-93( 光散射法），大粒子數濃度：30 000 顆/l （誤差值低于5%），粒徑范圍（5個通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm， ≥25μm
更新時間:2025-04-03
日本rion粒子計數器：kc-22a ( 光散射法）,大粒子數濃度：10000顆/l （誤差值低于5%）,可檢測從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計數器：kc-32 ( 光散射法）測試粒徑（6個通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm, ≥10μm
更新時間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計數器：kc-20a ( 光散射法）,測試粒徑（5個通道）：≥10μm， ≥20μm ， ≥30μm ， ≥50μm， ≥100μm
更新時間:2025-04-03
日本rio液體粒子計數器ke-18fx ( 光散射法）,測試粒徑（4個通道）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm，
更新時間:2025-04-03
日本rion液體光學顆粒度儀 ks-42d ( 光散射法），大粒子數濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（8個通道，出廠默認）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
更新時間:2025-04-03
日本rion粒子計數器：kl-30ax ( 光散射法）,大粒子數濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個通道，工廠標配）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm
更新時間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計數器：kl-30a ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個通道，出廠設置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計數器：kl-30b ( 光散射法）, 測純水，可打印。大粒子數濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個通道，出廠設置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時間:2025-04-03
日本rion 手持式粒子計數器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時間:2025-04-03
日本rion 手持式粒子計數器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計數器：ka-02( 光散射方式）,多點監視用粒子計數器，測試粒徑（2個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計數器：ka-03( 光散射方式）,多點監視用粒子計數器，測試粒徑（5個通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-04-03
日本rion氣體粒子計數器：ka-82( 光散射方式）,多點監視用粒子計數器，測試粒徑（5個通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時間:2025-04-03
玻璃去油墨設備,采用訂制紫外納激光器對玻璃表面進行去油墨以及油墨微加工， 將產品損傷降至低。
更新時間:2025-04-03
oai 800型光學正面和背面光刻機系統, 是半自動,four-camera、光學正面和背面光刻機。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對準精度,旨在大大超過任何紅外背后對準器性能的一個非常有競爭力的價格。通用模型800光刻機是理想的用于低產量、研發實驗室和大學。
更新時間:2025-04-03
瑞士nanofrazor 3d納米結構高速直寫機，源于發明stm和afm的ibm蘇黎世研發中心，是其在納米加工技術的新研究成果。nanofrazor納米3d結構直寫機第 一次將納米尺度下的3d結構直寫工藝快速化、穩定化。
更新時間:2025-04-03
nanoarch科研3d打印機m160 ，本套系統創新地使用了自動化的多材料送料系統，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時打印4種樹脂基復合材料進行層間或層內多材料3d打印，適用于基礎理論驗證及原理創新研究，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創新。其主要應用在點陣結構材料、功能梯度材料、超材料、復合材料、復雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時間:2025-04-03
nanoarch微納3d打印機 p130/s130 ，科研3d打印系統，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實現超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創新。
更新時間:2025-04-03
nanoarch 3d打印機p140/s140 ，科研3d打印系統，擁有10μm的超高打印精度和10μm的超低打印層厚，從而實現超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機構用于科學研究及應用創新。
更新時間:2025-04-03
理音rion kz-30uk采樣器，易于操作的室內化學采樣器，當腔體壓力過高的時候， 可以排凈空氣，防止發生故障 ，設計簡單的化學防爆采樣器，kz-30uk的設計是可以為 離線測試的液體粒子計數器提供加壓。
更新時間:2025-04-03
美nano-master熱蒸鍍系統：nte-4000 獨立式電子束蒸鍍，nte-3500 緊湊型獨立式熱蒸鍍，nte-3000 雙蒸源臺式熱蒸鍍系統，nte-1000 簡便型熱蒸鍍。熱蒸鍍系統可以跟nano-master那諾-馬斯特的其它任意真空系統組成雙系統。
更新時間:2025-04-03
美nano-master磁控濺射系統：nsc-4000獨立式磁控濺射系統，可支持共濺射等能力的擴展nsc-3500緊湊型獨立式熱蒸鍍，可以支持金屬材料的dc濺射，介質材料的rf濺射，以及脈沖dc濺射等應用。nsc-3000可支持多4個靶的dc濺射或rf濺射nsc-1000單金靶靶材的臺式濺射系統，不但可用于電鏡制備，也可以用于常規的金屬濺射
更新時間:2025-04-03
nano-master的等離子增強化學氣相沉積系統pecvd系統npe-4000,可以制造高質量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜。基板可以容納8英寸晶圓，可通過射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過熱電阻或者紅外燈加熱到800°c。ns
更新時間:2025-04-03
nano-master電子束蒸鍍系統 nee-4000，可通過樣片掩膜實現組合蒸鍍，并可通過電腦控制單個電子束蒸鍍的蒸鍍速率。系統可支持共蒸鍍功能。能夠升支持自動上下片，以及手動或自動翻轉樣片實現雙面鍍膜。該系列的e-beam電子束蒸鍍系統，也可以跟磁控濺射
更新時間:2025-04-03
ibm離子銑/ibe離子束刻蝕系統：nie-4000 獨立式 ibe 刻蝕系統nie-3500 緊湊型獨立式 ibe 刻蝕系統nir-4000 獨立式 ibe / rie 雙刻蝕系統nie-3000 臺式 ibe 刻蝕系統nsc-3000可支持多4個靶的dc濺射或rf濺射
更新時間:2025-04-03
nano-master等離子清洗和灰化系統設計用于廣泛的需求，從批處理和單晶圓的光刻膠剝離到晶圓表面改性都可以涵蓋。這些系統通過計算機控制，可以配套不同的等離子源，加熱和不加熱的基片夾具，以及獨一無二的從等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式的能力。$r
更新時間:2025-04-03
美nano-master ald/peald原子層沉積：nld-4000 獨立式ald系統nld-3500 緊湊型獨立式ald系統nld-3000 臺式ald系統
更新時間:2025-04-03
美nano-master rie反應離子刻蝕系統nrr-4000 獨立式雙rie或icp刻蝕系統nre-4000 獨立式rie或icp系統nre-3000 臺式rie系統ndr-4000 深硅刻蝕系統
更新時間:2025-04-03
美nano-master 熱真空太空模擬系統 ndt-4000,是一款器件測試系統，俗稱“熱真空系統”,可以用于真空和可控的均勻加熱以及冷卻循環條件下的器件或樣片測試。
更新時間:2025-04-03
美nano-master rtp快速退火爐nrt-3500 緊湊型獨立式全自動rtp系統nrt-4000 獨立式全自動rtp系統nrt-4000 獨立式大批量rtp系統nir-4000 獨立式 ibe / rie 雙刻蝕系統nie-3000 臺式 ibe 刻蝕系統nsc-3000可支持多4個靶的dc濺射或rf濺射
更新時間:2025-04-03
美nano-master swc單晶圓清洗系統swc-3000 臺式單晶圓/掩膜版清洗系統swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統swc-5000 帶25片cassette 機械手自動清洗nrt-4000 獨
更新時間:2025-04-03
美nano-master 大基片清洗機 large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨立式清洗機，使用計算機控制，大可支持外徑21”的基片。
更新時間:2025-04-03
韓國ecopia 全自動變溫霍爾效應測試儀 hms-5300lth,溫度范圍：80k-573k,測量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導體薄膜(p 型和 n 型)；
更新時間:2025-04-03
英國quorum q150t plus 鍍金鍍碳一體機，是一款優化設計的帶渦輪分子泵抽真空的鍍膜設備，真空度可達5x10-5mbar。可以濺射具有超細成膜顆粒的易氧化金屬，適用于高分辨率成像。同樣地，低散射可得到均勻而致密的無定形碳膜。
更新時間:2025-04-03
suss蘇斯/休斯，evg, oai等系列光刻機用曝光燈hbo系列，suss蘇斯，evg, oai公司生產的半導體和太陽能行業用光刻機，目得到業界的廣泛認同，該系列光刻機曝光系統的曝光燈，主要是由德國歐司朗及日本牛尾公司生產的曝光燈進行配套供應。歐司朗/牛尾曝光燈系列，具備良好的光通量，穩定的光強度以及優質的品質受到業界的青睞。
更新時間:2025-04-03
adlema先進的檢漏機bt4000技 術 規 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時間:2025-04-03
美國kla insem ht原位高溫納米力學測試系統，納米壓痕儀，樣品加溫可達800 ℃，樣品尺寸可達10mm，裝樣系統與真空環境兼容
更新時間:2025-04-03
德國iplas mpcvd cyrannus® 利技術微波等離子化學氣相沉積系統，廣泛應用于第四代半導體，射頻器件，散熱器件，光學窗口等高科技令域，晶圓生長金剛石膜，被譽為半導體終材料。
更新時間:2025-04-03
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