光學平臺產品及廠家
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2025-04-06
ure-2000/17 型紫外單面光刻機（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準精度：±1μm
更新時間:2025-04-06
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準精度：± 0.8μm
更新時間:2025-04-06
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-04-06
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-04-06
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-04-06
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-04-06
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-04-06
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學 大倍數 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-04-06
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結果，且曝光結果和方便存儲
更新時間:2025-04-06
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-04-06
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準器系統，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2025-04-06
oai model 212型桌面掩模對準系統, 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時間:2025-04-06
oai model 800e 型掩模對準系統，各種光譜范圍選項:hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時間:2025-04-06
oai的面板掩模光刻機 model 6020s, 用于foplp型號6020s -半自動化或自動化,實現500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時間:2025-04-06
nie-4000 離子束刻蝕系統，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統，通過加速的 ar 離子進行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時間:2025-04-06
hysitron ti 980 納米壓痕儀bruker hysitron ti 980 triboindenter 加速納米力學研究進入更高階段,同時具有高的性能、靈活性、可信度、實用性和速度；诤Ｋ紕搸资甑募夹g創新，它為納米力學表征帶來了高水平的性能、功能和易用性。ti 980達到了臺優異納米力學測試儀
更新時間:2025-04-06
echo pro 全自動超聲波掃描顯微鏡美 sonix 全自動超聲波掃描顯微鏡echo pro , 批量 tray盤和框架直接掃瞄, 編程自動判別缺陷, 高產量,無需人員重復設置, 自動烘干.
更新時間:2025-04-06
日本elionix 微細加式電子束曝光電子束直寫機els-f125，是elionix推出的上臺加速電壓達125kv的電子束曝光系統，其可加工線寬下限為5nm的精細圖形。
更新時間:2025-04-06
日本elionix 超高精密電子束光刻系統 els-f150, 是上第 個150千伏電子束光刻系統。支持單位納米用于高研究的設備制造。
更新時間:2025-04-06
日本電子 jsm-7610fplus，用于納米科學的肖特基場發射掃描電子顯微鏡， 是款采用半浸沒式物鏡、擁有超高分辨率的場發射掃描電子顯heidelberg 海德堡 μmla桌面無掩模光刻機
更新時間:2025-04-06
dwl 66+激光光刻系統是具經濟效益的高分辨率圖像產生器, 具有多種直寫模塊，實現不同精度直寫需求, 能于結構上進行灰度曝光
更新時間:2025-04-06
德國海德堡 heidelberg 激光直寫光刻機 mla150,德國高精密激光直寫繪圖機,非接觸式曝光,可支持高效數位光刻與灰度光刻.
更新時間:2025-04-06
octoplus 500 mbe系統是為了在6英寸襯底上生長高質量的iii/v族或者ii-vi族異質結構材料而研發業分子束外延系統。樣品臺選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標準的octoplus 500有11個呈放射狀分布的源孔，可以根據需要增選3個源孔。
更新時間:2025-04-06
德國leica em txp全新精研一體機，是一款獨特的可對目標區域進行精確定位的表面處理工具，特別適合于sem，tem及lm觀察之對樣品進行切割、拋光等系列處理。它尤其適合于制備高難度樣品，如需要對目標精細定位或需對肉眼難以觀察的微小目標進行定點處理。
更新時間:2025-04-06
keyence 基恩士 形狀測量激光顯微系統全新 vk-x3000，納米 / 微米 / 毫米，一臺即可完成測量。292 種分析工具，一臺即可了解希望獲取的信息。一臺即包含了光學顯微鏡，臺階儀，光學輪廓儀，及電鏡功能。
更新時間:2025-04-06
奧地利smartnil紫外納米壓。篹vg7200，leds 制作，led pss納米壓印工藝，led納米透鏡陣列；微流體學；芯片實驗室；抗反射層； 納米壓印光柵； 蓮花效應；光子帶隙；光學及通訊：光晶體，激光器件；生物技術解決方案：醫藥分析，血液分析，細胞生長。
更新時間:2025-04-06
evg610是一款非常靈活的適用于研發和小批量試產的對準系統，可處理大200mm之內的各種規格的晶片。evg610支持各種標準的光刻工藝，例如：真空、軟、硬接觸和接近曝光；也支持其他特殊的應用，如鍵合對準、納米壓印光刻、微接觸印刷等。系統中的工具更換非常簡便快捷，每次更換都可在一分鐘之內完成，而不需要門的工程人員和培訓，非常適合大學、研究所的科研實驗和小批量生產。
更新時間:2025-04-06
奧地利evg鍵合機：evg510，是一款半自動晶圓鍵合系統，可以處理大200mm的晶圓，非常適合于研發和小批量生產。evg510提供了除上料和下料外的全自動工藝處理過程，并配備了業界公認的優異的加熱和壓力均勻性系統。evg510模塊化的鍵合腔室設計可用于150mm或200mm晶圓鍵合，并且其工藝菜單與evg其他更高系列的鍵合機相匹配，可以方便的實現從實驗線到量產線的工藝復制。
更新時間:2025-04-06
evg520is是一款設計用于小批量生產的半自動晶圓鍵合系統， 大硅片允許尺寸為200mm。集evg新技術及客戶反饋基礎上設計的evg520is，配備了evg公司的利吸盤設計---這種吸盤可以提供對稱的快速加熱和冷卻功能。evg520is的很多優勢特性，如獨立的上下盤加熱和高壓鍵合工藝、高度的材料和工藝靈活性等，都幫助客戶很好的實施鍵合研究和生產。
更新時間:2025-04-06
evg620 單面/雙面光刻機(帶有壓印功能），evg620 是一款非常靈活和可靠的光刻設備，可配置為半自動也可以為全自動形式。evg620 既可以用作雙面光刻機也可以用作 150mm 硅片的精確對準設備；既可以用作研發設備，也可以用作量產設備。精密的契型補償
更新時間:2025-04-06
美國neocera 脈沖激光沉積系統pioneer 180-2-pld,一種用途廣泛的、用于薄膜沉積以及納米結構和納米粒子合成的方法
更新時間:2025-04-06
2英寸氮化鎵自支撐晶片, 10×10.5mm²氮化鎵自支撐晶片, 非性/半性氮化鎵自支撐晶片, 4英寸氮化鎵厚膜晶片, 2英寸氮化鋁厚膜晶片, 2英寸氮化鎵厚膜晶片
更新時間:2025-04-06
法國annealsys 高溫退火爐as-one, 多用途快速熱處理設備，適用于硅，化合物半導體，太陽能電池& mems.
更新時間:2025-04-06
日本rion液體光學顆粒度儀ks-19f,寬廣的測試范圍，可測試 0.03~0.13um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數據。octoplus 400 是一款通用型mbe系統，非常適合于iii/v族， ii/vi族，及其他復合半導體材料應用。兼容2-4英寸標準晶片。豎直分割式腔體設計，可以裝配各種源爐，實現不同材料分子束外延生長。
更新時間:2025-04-06
evg的hercules nil 300 mm是一個完全集成的納米壓印系統，是evg的nil產品組合的新成員。 hercules nil基于模塊化平臺，在單個平臺上將清洗模塊，抗蝕劑涂層模塊和烘烤預處理模塊與evg的有smartnil大面積納米壓印（nil）模塊結合在一起，用于直徑大為300 mm的晶片。
更新時間:2025-04-06
evg720紫外納米壓印用于從印章到襯底的紫外圖形轉移。evg720自動納米壓印系統允許襯底和印章的尺寸從很小的芯片到150mm直徑的圓片范圍。
更新時間:2025-04-06
液體光學顆粒度儀 ks-42c，寬廣的測試范圍，可測試 0.5~20um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高精準的顆粒數據。
更新時間:2025-04-06
美國 lakeshore 振動樣品磁強計 8600系列：model 8604, model 8607, 更科學，更高效
更新時間:2025-04-06
德國yxlon 定制化的標準x射線檢測系統cheetah evo，為封裝檢測、半導體及實驗室應用量身定制、
更新時間:2025-04-06
德國yxlon 定制化的緊湊型標準x射線檢測系統cougar evo ，為封裝檢測、半導體及實驗室應用量身定制
更新時間:2025-04-06
韓ecopia 變溫光霍爾效應測試儀 hms-7000，可以通過改變照射在樣品上的不同波長范圍的光源（紅、綠、藍光源）， 得出載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數等半導體電學重要參數隨光源強度變化的曲線。
更新時間:2025-04-06
日本rion光遮蔽粒子計數器 kl-05,（光滲透法），可測試粒徑范圍：1~20個通道范圍，1.3μm~100（0.1μm的間隔）大粒子數濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%）
更新時間:2025-04-06
日本rion液體光學顆粒度儀：ks-93( 光散射法），大粒子數濃度：30 000 顆/l （誤差值低于5%），粒徑范圍（5個通道）：≥0.1μm， ≥0.15μm ， ≥0.2μm ， ≥0.3μm, ≥0.5μm， ≥25μm
更新時間:2025-04-06
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